[매일일보] 삼성전자가 중국 산시성 시안시에 차세대 낸드 플래시 메모리 반도체 생산공장을 짓는다.
삼성전자는 12일 중국 대표의 자오러지 산시성 서기, 한국 대표의 이규형 주중대사와 지경부 윤상직 차관, 권오현 삼성전자 대표이사가 참석한 가운데 '삼성중국 반도체' 생산단지 건설 기공식 행사를 가졌다.
리커창 중국 국무원 부총리는 “이번 10나노미터급 플래시메모리 프로젝트는 한국과 중국, 양국의 강점을 살려 정보산업 분야의 긴밀한 협력을 통해 이룩한 중요한 성과”라고 말했다.
권오현 삼성전자 대표이사는 “한중 수교 20주년을 맞아 첨단 과학과 교육의 도시인 시안에서 기공식을 갖게 되어 영광”이라며 “삼성전자는 메모리산업에서 세계 1위 자리를 유지해 왔으며 향후에도 '삼성중국반도체'를 통해 최고의 제품으로 인류사회에 공헌할 것”이라고 강조했다.
삼성전자의 시안 공장은 초기 투자금액 23억 달러, 총 투자 규모 70억 달러로 2014년부터 10나노급 낸드플래시 메모리를 생산 할 계획이다. 이번 투자는 삼성의 중국 투자 중 역대 최대 규모다.
시안은 중국에서 1000년 이상 동안 수도였던 역사 깊은 도시로 중국정부가 추진하는 서부대개발의 과학기술 중심도시로 꼽힌다.
반도체 생산라인 운용에 필요한 산업 용수와 전기 공급이 원활하고 글로벌 IT기업의 생산 중심지 및 연구 거점으로 성장하고 있다. 37개의 대학교와 3000여개의 연구 기관이 위치하고 있어 반도체 산업에서의 핵심인 우수인재 확보에도 용이하다.
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