삼성 파운드리, 4나노 수율·성능 개선…TSMC 맹추격

지난해 고객사 이탈 원인됐던 4·5나노 수율 잡아 ‘골든수율’ 근접…4나노 발판 3나노서도 TSMC 맹추격

2023-04-19     여이레 기자
삼성전자

매일일보 = 여이레 기자  |  삼성전자가 반도체 파운드리(위탁생산) 4나노미터 공정에서 업계 1위인 대만 TSMC와의 수율(완제품 중 양품 비율)과 성능 격차를 따라잡았다는 분석이 나왔다. 

19일 업계에 따르면 최근 정보기술(IT) 팁스터(정보유출자) 레베그너스는 애플의 경영진 미팅 회의록을 인용하며 "4나노에서 삼성전자와 TSMC의 수율은 거의 같을 것으로 예상된다"고 언급했다.

삼성전자에게 4나노 공정은 수율 문제로 TSMC와의 대결에서 패배했다는 평가를 받아왔다. 주요 고객사인 퀄컴이 모바일 칩 '스냅드래곤8'의 2세대 제품의 생산을 TSMC로 옮기는 등 악재가 터지기도 했다.

하지만 올해 초 삼성전자는 2022년도 사업보고서를 통해 "4나노 2·3세대의 안정적인 수율을 확보했다"며 수율 개선 노력에 성과가 있었다고 밝혔다. 이어 TSMC를 따라잡았다는 업계 평가까지 받으며 반전을 노리고 있다. 

특히 TSMC의 최신 기술인 3나노 공정이 성능에 비해 생산단가가 크게 높아진 것으로 알려지면서 대안으로 삼성전자의 4나노 공정에 대한 선호도가 높아졌다는 업계 반응이다. 한때 삼성전자가 어려움을 겪었던 4나노 공정은 최근 80% 수준에 근접해 '골든수율'을 목전에 두고 있다. 경쟁사인 TSMC와 대등한 수준으로 올라섰다는 의미다.

삼성전자는 수율 개선을 기반으로 '구글 텐서(Tensor) 3' 칩을 3세대 4나노 공정으로 생산할 것으로 알려졌다. 5나노 공정도 미국 암바렐라의 자율주행차 반도체 생산을 수주했다.

아울러 삼성전자는 4나노 공정에서 TSMC를 따라잡는 동시에 최신 공정인 3나노에서도 선두 경쟁에 나선다는 전략이다. 삼성전자는 3나노에서 세계 최초로 차세대 트랜지스터 구조인 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용해 초도 양산에 성공한 바 있다.