창립 41주년 SK하이닉스 "노력·혁신 통해 글로벌 No.1 도약"

매일일보 = 박지성 기자  |  지난 1983년 반도체 사업을 시작한 SK하이닉스가 40년간의 끊임없는 노력과 혁신을 통해 글로벌 No.1 인공지능(AI) 메모리 컴퍼니로 도약했다.

SK하이닉스는 기술력으로 일군 40년을 갈무리하고 새로운 1년을 달린 올해 1등 리더십을 공고히 하며 '40+1 르네상스 원년'을 만들어 가고 있다. 그 배경에는 고대역폭메모리(HBM), 프로세싱 인 메모리(PIM), 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 등 첨단 공정과 패키징 기술이 집약된 AI 메모리가 자리 잡고 있다.

10일 SK하이닉스는 창립 41주년을 맞아 자사 뉴스룸을 통해 혁신 제품에 담긴 역사와 기술력, 구성원들의 노력을 되짚었다.

SK하이닉스는 AI 흐름이 본격화하기 전부터 고대역폭으로 대용량 데이터를 빠르게 전달하는 'HBM' 개발에 집중하며 내실을 다졌다. 특히 HBM2E를 통해 시장 주도권을 잡고 영향력을 확장했으며, AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC)에 최적화된 HBM3로 큰 주목을 받았다. 무엇보다 회사는 이 메모리를 엔비디아에 공급하며 AI 및 데이터센터 시장의 핵심 파트너로 자리매김했다. 이 무렵 SK하이닉스는 HBM 시장 점유율 50%를 달성하며, HBM 강자로서 위상을 확립했다.

AI 메모리 시장에서 SK하이닉스의 위상은 올해에도 이어졌다. SK하이닉스는 지난해 최고 성능의 'HBM3E(5세대)'를 개발했으며, 올해부터 글로벌 탑 IT 기업에 제품 공급을 시작했다.

SK하이닉스의 HBM 성공신화는 2009년으로 거슬러 올라간다. 당시 회사는 실리콘관통전극(TSV)와 웨이퍼레벨패키지(WLP) 기술이 메모리 성능의 한계를 극복해 줄 것으로 판단하고 본격적인 개발에 착수했다. 그로부터 4년 후, 이 기술을 기반으로 한 고대역폭 메모리, 1세대 HBM을 출시으며, 열 방출과 생산성이 높은 MR-MUF 기술을 HBM2E에 적용해 시장 판도를 바꿨다.

이후 얇은 칩 적층, 열 방출, 생산성이 모두 탁월한 어드밴스드 MR-MUF 기술을 개발해 HBM3와 HBM3E에 적용했다. 이 기술을 바탕으로 지난해에는 HBM3 12단(24GB)을, 올해에는 HBM3E 12단(36GB) 양산까지 성공하며 '업계 최고 성능'이란 신기록을 잇달아 달성했다.

올해도 SK하이닉스는 AI 리더십을 공고히 하기 위한 전략적 행보를 이어갔다. 4월에는 미국 인디애나주에서 어드밴스드 패키징 생산기지 건설을 위한 투자 협약을 체결했다. 같은 달, TSMC와의 기술 협약 또한 체결했다. 

SK하이닉스의 도전과 혁신은 메모리 전 영역에서 이뤄지고 있다. 회사는 '메모리 센트릭'을 비전으로 삼고, 40년간 축적해 온 기술력을 바탕으로 다양한 AI 메모리를 개발하는 중이다. 특히 올해는 PIM, CXL, AI SSD 등으로 라인업을 더욱 강화하며 르네상스의 원년을 만들어가고 있다.

SK하이닉스는 지난 역사를 바탕으로 또 한 번의 도약을 준비하고 있다. 41주년을 맞은 회사는 HBM 1등 리더십을 지키는 가운데, 차세대 반도체 시장에서도 주도권을 확보, 모든 제품이 AI의 핵심 동력으로 작동하는 'The Heart of AI' 시대를 선도해 나가고자 한다.