하이닉스, 20나노급 64Gb 낸드플래시 개발
2011-02-09 윤희은 기자
하이닉스는 지난해 8월 30나노급 기술을 적용한 32Gb 낸드플래시 제품에 이어 6개월 만에 20나노급 64Gb 제품 개발에 성공, 올해 3분기부터 양산할 예정이라고 9일 밝혔다.
박성욱 하이닉스연구소장(부사장)은 "새로운 공정의 채용을 최소화해 30나노급 제품 대비 2배 가까운 생산성 향상으로 업계 최고 수준의 원가 경쟁력도 확보할 수 있게 됐다"고 설명했다.
개발 성공 발표는 하이닉스가 두 번째다. 하이닉스 관계자는 "인텔과 ST마이크로 합작사인 뉴모닉스와의 분업을 통한 기술 개발로 최근 30나노급에 이어 20나노급 제품을 단기간에 개발해 선도업체들을 앞지르게 됐다"고 말했다.
이에 따라 낸드플래시 세계 1, 2위인 삼성전자와 도시바 역시 20나노급 개발 및 양산에 박차를 가할 것으로 관측된다. 올해 20나노급 낸드플래시 시대가 열릴 것으로 전망되는 이유다.
한편, 하이닉스는 이번 20나노급 제품을 기반으로 향후 64기가바이트(GB) 메모리 용량 시대가 앞당겨질 것으로 기대하고 있다.
64GB 메모리는 MP3 음악파일 1만6000곡, DVD 영화 40편, 단행본 440만권, 일간신문 400년치에 해당하는 정보를 저장할 수 있는 용량이다.
하이닉스는 20나노급을 개발해 원가 및 기술경쟁력을 갖춤에 따라 낸드플래시 전용인 충북 청주공장의 생산능력을 두배로 확장시켜 시장점유율을 확대해 나갈 계획이다. 이를 위해 올해 약 7000억 원의 현금 투자를 포함해 약 1조 원의 설비 투자를 청주공장에 집행할 계획이다.