삼성전자, ‘8조 투자’ 中 시안 2라인 증설 본격화

중국 시안 공장 제2라인 증설에 약 8조원 투자
생산능력 확대…중국과 격차 벌리기 나서

2019-03-27     이우열 기자
[매일일보 이우열 기자] 최근 중국이  ‘반도체 굴기’를 선언하고 산업 경쟁력 강화에 주력하는 가운데, 삼성전자[005930]가 현지 공장 라인 증설에 돌입한다.27일 업계에 따르면 삼성전자가 중국 시안에 위치한 반도체 공장 내 제2라인 증설 기공식을 28일 진행한다.   기공식에는 김기남 삼성전자 DS부문장과 중국 지방 정부 관계자들이 참석할 예정이다. 당일 일정에 따라 참석자는 변동될 수 있다.앞서 삼성전자는 지난해 8월 경영위원회를 열고 중국 시안공장 2라인에 향후 3년 동안 70억달러(약 8조원)를 투자, 낸드플래시 수요 증가에 대응하겠다는 계획을 밝힌 바 있다.현재 1라인이 가동되고 있는 시안 공장은 2012년 34만5000평 부지에 건설이 시작돼 2014년 7만평 규모로 완공, 본격적인 라인 가동이 시작됐다. 당시 투자액은 초기 23억달러, 총 70억 달러였으며, 이는 삼성의 중국 투자 중 역대 최대 규모다.2012년 공장 기공식에는 자오러지 산시성 서기, 이규형 주중대사, 지경부 윤상직 차관, 권오현 대표를 비롯한 관계자들이 참석했던 바 있다.당시 리커창 중국 국무원 부총리는 축하 서신을 통해 “이번 10나노미터급 플래시메모리 프로젝트는 한국과 중국, 양국의 강점을 살려 정보산업 분야의 긴밀한 협력을 통해 이룩한 중요한 성과”라고 말했다.시안 1라인에서는 월 10만~12만장 수준의 3D 낸드가 생산되고 있는 가운데, 2라인도 이와 비슷한 수준의 생산능력을 갖출 것으로 보인다. 향후 1‧2라인 가동시 약 20만장이 넘는 3D 낸드를 생산할 수 있게 되며, 낸드플래시 분야에서 삼성전자의 영향력은 더욱 강력해질 것으로 보인다.삼성전자는 “올해 부품 시장은 5G, IoT, 전장 등 새로운 응용처 확대와 고용량, 고부가 제품의 수요 증가가 전망된다”며 “메모리 사업은 2세대 10나노급 D램, 5세대 V낸드 등 고부가 제품을 안정적으로 확대하고, 차별화 제품으로 경쟁사와 기술격차도 확대해 나갈 예정”이라고 설명했다.