‘반도체 초강대국 달성전략’ 발표…5년간 340조 투자 집중 지원
인프라 구축비용 국비 지원・R&D 투자 세제지원 확대 검토키로 민관 합심 10년간 인력 15만+α명 공급 목표도 세워
[매일일보 이재영 기자]정부가 최근 주춤한 반도체 투자를 북돋기 위해 규제완화에 적극 나서 5년간 340조원 이상의 투자 달성을 지원키로 했다.
정부는 21일 과감한 인프라 지원, 규제특례 등의 내용이 담긴 ‘반도체 초강대국 달성전략’을 발표했다.
정부는 대규모 신‧증설이 진행중인 평택‧용인 반도체단지의 전력‧용수 등 필수 인프라 구축비용에 대해 국비 지원을 검토한다.
반도체 단지에서는 용적률을 최대 1.4배(350% → 490%)로 상향함으로써 클린룸 개수는 평택 캠퍼스가 12개 → 18개, 용인 클러스터는 9개 → 12개로 늘어날 것으로 예상된다. 이를 통해 약 9000명(클린룸당 1천명 고용)의 고용 증가 효과가 있을 것으로 전망된다.
반도체 산단 조성 시 중대‧명백한 사유(예 : 중대한 공익 침해 등)가 없을 경우에는 인허가의 신속처리를 의무화하도록 국가첨단전략산업특별법을 개정한다. 산단 유치에 따른 이익을 인접 지자체들이 공유하기 위해 광역자치단체장의 특별조정교부금을 활용하는 방안도 적극 추진할 계획이다.
이창양 산업통상자원부장관이 이날 동진쎄미켐 발안공장을 방문한 것을 계기로 관계부처 합동 전략을 발표했다.
이에 따르면 정부는 반도체 설비 및 R&D 투자에 대한 세제지원 확대도 추진한다. 대기업의 설비투자에 대해서는 중견기업과 단일화해 기존의 6%~10%에 2%p를 상향, 8%~12%를 적용하고 테스트 장비, IP 설계‧검증기술 등도 국가전략기술에 새로이 포함하는 등 세제지원 대상 확대 방안을 검토한다.
반도체 기업의 투자활성화를 위한 노동·환경 규제도 개선도 전략에 담았다. 현재 일본 수출규제 품목 R&D에 허용되던 특별연장근로제(주 52시간 → 최대 64시간)를 금년 9월부터는 전체 반도체 R&D로 확대한다.
화관법상 유해화학물질 취급시설 기준에 대한 규제도 연말까지 반도체 특성에 맞도록 대폭 개선해 나갈 계획이다. 또 대표설비 검사제도(대표설비만 통과하면 동일설비는 설치 후 검사)의 적용업종을 반도체 제조 전체로 확대(現 전자집적회로 제조만 인정)한다.
민관이 합심해 인력 양성에도 나서 10년간 인력 15만+α명을 공급한다는 목표다. 산업부는 국가첨단전략산업특별법에 따라 반도체 특성화대학원을 내년에 신규 지정해 교수인건비, 기자재, R&D를 집중 지원하고, 비전공 학생에 대한 반도체 복수전공·부전공 과정(2년)인 ‘반도체 brain track’도 올해부터 30개교에서 운영할 예정이다.
산업계도 산학협력 4대 인프라 구축을 통해 인력양성에 적극 협조하기로 했다. 업계가 주도하는 ‘반도체 아카데미’를 연내 설립하고, 내년부터 대상별(대학생, 취업준비생, 신입직원, 경력직원) 맞춤형 교육을 실시함으로써 5년간 3600명 이상의 현장 인력을 양성한다. 또 민관 공동으로 10년간 3500억원 R&D 자금을 마련해 반도체 특성화 대학원과 연계한 R&D를 지원한다.
반도체 기업이 기증한 유휴‧중고장비를 활용해 양산현장 수준의 교육 및 연구환경을 마련(한국형 IMEC)하고, 중소·중견 소부장 기업의 인력난 해소를 위해 10개 소부장 계약학과도 설립하기로 했다.
이밖에도 정부는 시스템반도체 선도기술을 확보해 2030년 시장점유율을 10%(현재 3%)까지 올리기로 했다. 또 견고한 소부장 생태계 구축을 위해 2030년 자립화율을 50%(현재 30%)까지 제고한다.