3세대 제품 양산물량 증가, 650V→600V/700V 공정 추가로 제품 라인업 확대
2세대 제품 대비 저항값 최대 60% 낮춰 성능 개선, 칩 크기 줄여
올해 안에 고온 신뢰성(HTRB) 테스트 거쳐 자동차 및 산업용 시장 진출
2023-10-18 이재영 기자
DB하이텍
[매일일보 이재영 기자]DB하이텍이 3세대 제품 양산물량을 늘리며 차세대 슈퍼정션 모스펫(SJ MOSFET) 사업을 본격화하고 있다. 최근에는 이미 양산 중인 650V 공정에 더해 600V, 700V 공정을 추가로 개발해 제품 라인업을 확대함으로써 경쟁력을 강화하고 있는 모습이다.
18일 DB하이텍에 따르면 모스펫은 소비가전 및 각종 IT기기의 전원공급장치에 적용되어 스위칭 및 신호 증폭의 기능을 담당하는 핵심부품으로 고전압, 고효율을 특징으로 하는 전자장치의 보급 확산에 힘입어 그 수요가 빠르게 증가하고 있다.
DB하이텍의 3세대 SJ MOSFET 공정은 2세대보다 저항값(Rsp : Specific On-Resistance)을 50%~60% 낮춰 성능을 개선하고 칩 크기를 줄인 것이 특징이다. 여기에 Low EMI(전자방해잡음), 고속 스위칭, 고속 회복 다이오드(FRD : Fast Recovery Diode), 높은 정전기 방전(ESD : Electrostatic discharge) 등을 옵션으로 제공해 고객사의 편의를 높였다.
또한, 25~600mOhm 사이의 온저항을 지원하고 TO-220, TO-220F, TO-247, D2PAK, DPAK 등의 표준 패키지를 사용해 전기차 충전, UPS(무정전 전원공급장치), 서버, 급속 충전, 가전, PC 전원, 조명, 어댑터 등의 다양한 응용분야에 적용될 수 있는 장점이 있다.
특히 연내에 차량용 고온 신뢰성 평가 조건인 드레인 전압 100%(100%Vdd) 하에서의 HTRB(High Temperature Reverse Bias) 품질 테스트를 완료할 예정이며, 이를 바탕으로 자동차 및 산업 등 고부가 시장으로 영역을 확대해 나갈 계획이다.
현재 DB하이텍은 다양한 전압군의(500V·600V·650V·700V·800V) 2세대 SJ MOSFET 제품을 중국, 대만, 일본 등의 글로벌 제조사에 공급하며 SJ MOSFET 시장에서 입지를 강화하고 있다. 이번 3세대 제품을 통해 기존 가전 및 IT기기 등에서 자동차, 산업 분야로의 진출을 가속화함으로써 향후 고객 수요는 더욱 증가할 것으로 전망한다.
DB하이텍 관계자는 “향후 4세대 SJ MOSFET 제품 개발에 기술 역량을 집중해 시장 점유율을 더욱 높여갈 예정”이라며, “장기적으로는 GaN, SiC 등과 같은 차세대 전력반도체 솔루션을 갖춰 전기차 등의 신규 고성장 시장으로의 진출을 꾀할 것”이라고 밝혔다.