매일일보 = 안광석 기자  |  한양대학교는 정진욱 전기공학과 교수 연구팀이 원자 수준의 반도체 공정을 가능케 하는 혁신적인 기술인 ‘극저온 전자 온도의 무손상 플라즈마 소스’를 개발했다고 26일 밝혔다.

이 기술은 기존 플라즈마 공정의 한계를 극복하고, 차세대 반도체 초미세 공정의 새로운 지평을 열 것으로 기대된다.

반도체 소자 제조 공정에서는 식각/증착 공정에서 플라즈마가 주로 이용된다. 하지만 최근 반도체 소자가 소형화 및 고집적화로 인해 원자 수준의 정밀도가 요구되면서 기존 플라즈마 공정 기술의 한계가 드러나고 있다.

정 교수 연구팀은 이러한 한계를 극복하기 위해 전자 온도가 매우 낮은(<0.5 eV) 극저온 전자 온도 (ULET) 플라즈마의 무손상 플라즈마 소스를 개발했다.

이러한 플라즈마에서는 전자와 이온의 에너지가 매우 작고, 이온의 에너지를 정밀하게 제어할 수 있어 이온 포격 및 전하 축적, 진공 자외선 방사에 의한 손상을 원천적으로 방지할 수 있다.

정 교수는 “이번 연구 결과는 플라즈마를 이용한 반도체 공정의 한계 극복에 중요한 통찰을 제공할 것”이라며 “반도체 미세화의 한계를 넘어 원자 수준의 반도체 소자 구현을 위한 초석이 될 수 있을 것”이라고 설명했다.

이번 연구 결과는 미국 과학기술 분야 최상위등급 학술지인 ‘나노 레터스’에 6일자로 게재됐다.

안광석 기자 [email protected] 다른기사 보기