매일일보 = 최은서 기자 | SK하이닉스가 다양한 차세대 패키징 기술 개발로 커스텀 제품 요구에 적기 대응해 고대역폭메모리(HBM) 리더십을 지켜가겠다고 강조했다.
이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장은 5일 SK하이닉스 뉴스룸 인터뷰에서 "SK하이닉스가 HBM 시장을 선점할 수 있었던 가장 큰 원동력은 품질과 양산 경쟁력을 갖춘 제품을 고객이 원하는 시기에 제공했기 때문이라고 생각한다"며 이같이 밝혔다.
SK하이닉스는 2019년 3세대 제품인 HBM2E 개발에 성공하며 업계 우위를 점했다는 평가를 받았다. 당시 처음으로 칩과 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 주입해 굳히는 공정인 MR-MUF 기술을 적용했다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고 열 방출에도 효과적이라는 평가다.
이 부사장은 "12단 HBM3 부터는 기존보다 칩의 적층을 늘렸기 때문에 방열 성능을 더욱 강화해야 했다"며 "특히 기존 MR-MUF 방식으로는 12단 HBM3의 더 얇아진 칩들이 휘어지는 현상 등을 다루기 쉽지 않았다"고 회고했다.
SK하이닉스는 이같은 한계 극복을 위해 기존 MR-MUF 기술을 개선한 어드밴스드 MR-MUF 기술을 개발했다. 이를 통해 지난해 세계 최초로 12단 HBM3 개발 및 양산에 성공했고 지난 3월 세계 최고 성능의 HBM3E를 양산했다.
이 부사장은 "이 기술은 하반기부터 AI 빅테크 기업들에 공급될 12단 HBM3E에도 적용되고 있으며 이후 활용 범위가 더 넓어지면서 SK하이닉스의 HBM 1등 기술력을 더 공고히 하는 데 힘이 되어줄 것"이라고 강조했다.
SK하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF와 하이브리드 본딩 방식을 모두 검토 중에 있다. 하이브리드 본딩은 칩을 적층할 때 칩과 칩 사이에 범프를 형성하지 않고 직접 접합시키는 기술이다. 이를 통해 칩 전체 두께가 얇아져 고단 적층이 가능해지며, 16단 이상의 HBM 제품에서 필요성이 검토되고 있다.
이 부사장은 "표준 규격에 따라 제품 두께는 유지하면서도 성능과 용량을 높이기 위한 칩 고단 적층의 방편으로 최근 하이브리드 본딩 등 차세대 패키징 기술이 주목받고 있다"며 "위 아래 칩 간 간격이 좁아져 생기는 발열 문제는 여전히 해결해야 할 과제이지만 점점 더 다양해지는 고객의 성능 요구를 충족시킬 솔루션"이라고 말했다.
아울러 이 부사장은 "방열 성능이 우수한 기존 어드밴스드 MR-MUF를 지속적으로 고도화하는 한편 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획"이라고 강조했다.
