미국 실리콘밸리서 '삼성 메모리 테크 데이 2023' 개최
클라우드, 에지 디바이스, 차량 등 응용처별 차별화된 솔루션 공개
10나노 이하 D램 신구조 도입, HBM3E D램 등 신기술로 시장 선도
클라우드, 에지 디바이스, 차량 등 응용처별 차별화된 솔루션 공개
10나노 이하 D램 신구조 도입, HBM3E D램 등 신기술로 시장 선도
매일일보 = 신영욱 기자 | 삼성전자가 초거대 AI 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 여럿 선보였다. 클라우드(Cloud), 에지 디바이스(Edge Devices), 차량(Automotive) 등 응용처별 기술 트렌드를 공유하고 △AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 HBM3E D램 '샤인볼트(Shinebolt)' △차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 'LPDDR5X CAMM2'△스토리지 가상화를 통해 분할 사용이 가능한 'Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)' 등 차별화된 메모리 솔루션 등을 공개한 것이다.
삼성전자는 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤션 센터(McEnery Convention Center)에서 '삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023'을 개최했다고 밝혔다. '메모리 역할의 재정의(Memory Reimagined)'라는 주제로 열린 이번 행사는 글로벌 IT 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여 명이 참석한 가운데 삼성전자 메모리사업부 이정배 사장, 미주총괄 짐 엘리엇(Jim Elliott) 부사장, 업계 주요 인사 등이 반도체 시장의 트렌드와 주요 제품을 소개했다. 우선 차세대 HBM3E D램 '샤인볼트(Shinebolt)'를 처음 공개했다. 삼성전자는 지난 2016년 업계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM2를 상용화한 바 있다. 이번에 공개한 '샤인볼트'는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공한다. 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도이다. NCF(Non-conductive Film) 기술 최적화를 통해 칩 사이를 빈틈없이 채워 고단 적층을 구현했으며, 열전도를 극대화해 열 특성 또한 개선했다는 것이 업체 측의 설명이다. 삼성전자는 HBM3 8단, 12단 제품을 양산 중이며, 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다고 전했다. 또 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이다. 이밖에 △현존 최대 용량 '32Gb DDR5(Double Data Rate) D램'△업계 최초 '32Gbps GDDR7(Graphics Double Data Rate) D램' △저장 용량을 획기적으로 향상시켜 최소한의 서버로 방대한 데이터를 처리할 수 있는 'PBSSD(Petabyte Storage)' 등도 소개했다.저작권자 © 매일일보 무단전재 및 재배포 금지