매일일보 = 김명현 기자  |  김춘환 SK하이닉스 부사장(R&D공정 담당)이 지난달 27일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘2024 산업기술 R&D 종합대전’에서 산업기술진흥(기술개발 부문) 유공자로 선정돼 은탑산업훈장을 받았다.

산업훈장은 산업기술진흥 유공의 최고상격으로, 김 부사장은 이 부문에서 은탑산업훈장 수상의 영예를 안았다. D램과 낸드 플래시를 아우르며 국내 반도체 기술력 향상에 기여한 공을 인정받은 것이다. 특히 고대역폭메모리(HBM) 공정의 기틀을 마련한 공로를 인정받았다. 1992년 SK하이닉스에 입사한 김춘환 부사장은 32년간 메모리 반도체 연구에 매진했다. 특히 HBM의 핵심인 'TSV(Through Silicon Via)' 요소기술 개발의 선행 단계부터 참여해 15년간 연구를 이어왔다. TSV는 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상·하단 칩을 전극으로 연결하고 적층해 고용량, 고대역폭을 구현하는 기술이다. 그는 "개발 초기 고도의 정밀성과 미세한 제어가 요구되다 보니 난이도가 정말 높았다"고 회상했다. 또 초기에는 높은 공정 비용 대비 시장 수요가 적은 탓에 수익성을 확보하기 어려웠다. 이에 대해 김 부사장은 "그럼에도 경영진의 확고한 믿음과 지원이 있어 프로젝트를 이어갈 수 있었다"고 말했다. 이어 "TSV 공정 기술 안정화와 인프라 구축에 중점을 두고 연구 개발에 더욱 매진했다. 양산 품질 개선 활동도 진행해 마침내 HBM 양산에 성공하게 됐다"며 "이 모든 성과의 단초였던 TSV는 현재 'MR-MUF'와 함께 HBM의 핵심 경쟁력이 됐다"고 평가했다. 더불어 김 부사자은 10나노급 5세대(1b) D램 미세 공정에 EUV(극자외선) 장비를 도입해 업계 최고 수준의 생산성과 원가 경쟁력을 확보했고 이를 6세대(1c) D램에도 확대 적용했다. 또 HKMG 기술을 D램에 적용해 메모리 성능·효율을 높이는 등 선단기술에서 눈에 띄는 성과를 냈다. 낸드 분야의 혁신도 앞당겼다. 김 부사장은 'Gate W Full Fill' 기술로 신뢰성을 높여 수율 안정성을 확보했고, 이를 통해 생산성을 높이는 데 기여했다. 또 웨이퍼 본딩(Wafer Bonding) 기술을 개발해 초고층 낸드를 생산하는 데 필요한 핵심 요소기술을 확보했다. 김 부사장의 성취는 TSV에 그치지 않는다. 그는 10나노급 5세대(1b) D램 미세 공정에 EUV(극자외선) 장비를 도입해 업계 최고 수준의 생산성과 원가 경쟁력을 확보했고 이를 6세대(1c) D램에도 확대 적용했다. 또 HKMG 기술을 D램에 적용해 메모리 성능·효율을 높이는 등 선단기술에서 눈에 띄는 성과를 이뤄냈다. 김 부사장은 "요소기술을 원천으로 수익성 높은 고성능 제품을 성공적으로 양산한 공적을 인정받았다"며 "이는 모든 구성원의 헌신과 노력으로 맺은 결실"이라고 소감을 밝혔다.