매일일보 = 김명현 기자  |  반도체 사업 진출 50주년을 맞는 삼성전자가 '초격차' 회복을 위해 전열을 가다듬고 있다.

3일 업계에 따르면 삼성전자는 오는 6일 반도체 50주년을 맞아 'DS인의 일하는 방식'을 공개할 예정이다. 이는 새로운 50년을 이끌 업무 방식 등을 제시하며 조직 분위기를 다잡는 차원으로 풀이된다. 과거 이건희 선대회장은 삼성 계열사 이사로 재직 중이던 1974년 12월 6일 당시 사재를 털어 한국반도체를 인수했다. 이후 과감한 투자와 지속적인 연구 개발을 통해 '초격차 경쟁력'을 확보하며 반도체 시장을 선도해 왔다. 삼성전자는 1993년 글로벌 메모리 1위에 올랐고 30여년간 이 자리를 수성해 왔다. 그동안 △1994년 256Mb D램 세계 최초 개발 △2002년 낸드플래시메모리 세계 1위 △2011년 세계 최초 20나노급 D램 양산 △2016년 세계 최초 10나노급 D램 양산 등 대기록을 써내려 왔다. 2022년에는 차세대 기술인 게이트올어라운드(GAA)를 적용한 3나노 공정을 세계 최초로 상용화했다. 특히 올해는 사상 첫 매출 100조원을 달성할 것으로 기대를 모은다. 삼성 반도체 부문 매출은 1975년 2억원 수준에서 시작해 1986년 1000억원을 넘겼다. 이어 1991년 1조원을 달성했으며, 2022년엔 사상 최대인 98조원을 기록하며 세간의 관심을 모았다. 갖은 '최초'의 수식어가 붙는 삼성이지만 지금의 회사는 고대역폭메모리(HBM) 등 인공지능(AI) 반도체 대응에 뒤처지면서 업계 안팎의 우려가 커지고 있다. 글로벌 HBM 1위인 SK하이닉스에 시장 주도권을 빼앗긴 데다 엔비디아향 5세대 제품(HBM3E) 납품이 지연되고 있는 실정이다. 엔비디아는 AI 반도체 시장을 독식하고 있는 업체다. 이러한 상황은 삼성전자의 근원적인 기술 경쟁력에 대한 의문을 자아냈고, 시장의 의구심과 우려를 걷어낼 필요성을 키웠다. 이에 삼성전자는 지난 5월 '원포인트' 인사로 반도체(DS)부문 수장을 교체하며 초격차 회복에 드라이브를 걸었다. 전영현 부회장은 DS부문장으로 등판한 직후 메모리 사업부 산하 HBM 개발 조직을 HBM 전담 총괄 조직으로 격상시키고, HBM 개발팀도 신설하는 등 HBM 사업 개편에 속도를 냈다. HBM3E의 엔비디아 퀄테스트(품질검사) 통과는 물론 6세대 HBM(HBM4)의 내년 하반기 양산에 차질이 없도록 만전을 기하고 있다. 메모리사업부장을 겸하고 있는 전 부회장은 지난달 18일 반도체 초석을 다졌던 경기 기흥캠퍼스에서 차세대 반도체 R&D 단지(이하 NRD-K) 설비 반입식을 갖고 새로운 미래로의 도약을 다짐하기도 했다. 그는 이날 설비 반입식 기념사에서 "삼성전자 반도체 50년의 역사가 시작된 기흥에서 재도약의 발판을 다져 새로운 100년의 미래를 만들겠다"면서 "NRD-K를 통해 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계 확립으로 개발 속도를 획기적으로 개선해 나갈 것"이라고 강조했다. NRD-K는 내년에 1차 준공을 앞두고 있으며, 2030년까지 총 투자 규모가 20조원에 이른다. NRD-K는 메모리, 시스템반도체, 파운드리(위탁생산) 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지로 근원적 기술 연구부터 제품 개발까지 한 곳에서 이뤄질 수 있도록 고도의 인프라를 갖춘다는 목표다. 삼성전자는 '초격차' 회복을 위해 대규모 R&D 투자에도 적극 나서고 있다. 올 1분기 7조원대, 2분기 8조원대에 이어 3분기에도 역대 최대인 8조8700억원을 R&D 비용으로 집행했다. 삼성전자는 지난해에도 R&D에 역대 최대인 28조3400억원을 투입한 바 있다.